На странице:
Сортировка:
Транзистор полевой, характеристики P & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
..
46.00 р.
Транзистор полевой, характеристики,MOSFET N-канал 5,8А 30В 1,4Вт 0.028ОМ
..
15.00 р.
Транзистор P-канал, 30В, 4А, 1.4Вт, 0.050Ом
..
25.00 р.
Транзистор полевой, характеристики
"P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=3..
10.00 р.
Транзистор полевой, характеристики 20V P-Channel MOSFET Id=4,4A, Pd=1,4W,Rds(on)=52 mOhm
..
84.00 р.
Транзистор полевой, характеристики MOSFET P-канал 3,0А 20В 1,4Вт 0.097
..
10.00 р.
N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
..
31.00 р.
Транзистор полевой, характеристики
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transis..
20.00 р.
Metal oxide P-channel FET, enhancement type w. diodeSMD,P-Channel Enhancement Mode FET, 30V 8A 3W..
32.00 р.
Транзистор полевой,N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor,VDS (V) = 30V
..
53.00 р.
Транзистор полевой, характеристики
MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
..
40.00 р.
Транзистор полевой, характеристики MOSFET P-CH -30V -15A 8-SOIC
..
30.00 р.
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-SOIC
..
36.00 р.
Транзистор полевой, характеристики MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
..
58.00 р.
