ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
На странице:
Сортировка:
Транзистор полевой, характеристики N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 30V 25m? 28A
..
50.00 р.
Транзистор полевой:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET, Vds=30V, Id=28A, Pd=25W, Rds(on)=25 m..
108.00 р.
Транзистор полевой, характеристики
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 30 V 25..
50.00 р.
Транзистор полевой, характеристики N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,Vds=25V,Id=28A,Pd=31.2..
143.00 р.
Транзистор полевой, характеристики P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET -60V 70m? -16A
..
83.00 р.
Dual N and Dual P Channel, Id=5.5A, Vds=30V, Rds(on)=0.033ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=1V, Pd=1.38W, кор..
54.00 р.
2N and 2P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET, N-channel: Vdss=30V, Id=6,3A,Rds(on)=33 mOhm,P-c..
54.00 р.
Транзистор полевой, характеристики Metal oxide N-channel FET, enhancement type with diode,SMD,POW..
95.00 р.
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
..
135.00 р.