Renesas
На странице:
Сортировка:
Critical Conduction Mode PFC Control IC
..
100.00 р.
Silicon N-channel MOSFET, Vdss=200V, Id=5A, Pd=78W, Rds(on)=0,55 Ohm
..
55.00 р.
IGBT+D 330V 50A
..
126.00 р.
Silicon N-Channel IGBT High Speed Power Switching, Vces=360V, Ic=35A,Pc=60W
..
157.00 р.
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • High speed switching • Low on-state ..
330.00 р.
IGBT, DC=50A, Vce(on)=1.8V, Pd=329W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-247A-3, tmax-150°C
..
175.00 р.
IGBT,Vces=360V, Ic=35A, Vcesat= 1,7V
..
107.00 р.
IGBT Silicon N Channel High speed power switching 360V 30A 40W t=150C
..
118.00 р.
Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
..
72.00 р.
Silicon N-Channel IGBT High Speed Power Switching, Vces=360V, Ic=35A,Pc=60W
..
85.00 р.
Nch IGBT for Strobe Flash, Vces=430V, Icm=200A, Pc=30W
..
87.00 р.
IGBT 430V 40A for Plasma TV
..
150.00 р.
IGBT 450V 35A
..
215.00 р.