Ничего не куплено!
| Название | Производитель | Описание | Цена | ||
|
RJP30H1 | Renesas | IGBT Silicon N Channel High speed power switching 360V 30A 40W t=150C .. | 118.00 р. |
|
|
RJP30H1DPD | Renesas | Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт .. | 72.00 р. |
|
|
RJP30H2A | Renesas | Silicon N-Channel IGBT High Speed Power Switching, Vces=360V, Ic=35A,Pc=60W .. | 85.00 р. |
|
|
|
RJP30H2A TO-220F-3 | Silicon N-Channel IGBT High Speed Power Switching, Vces=360V, Ic=35A,Pc=40W .. | 91.00 р. |
|
|
|
|
RJP4301 | Renesas | Nch IGBT for Strobe Flash, Vces=430V, Icm=200A, Pc=30W .. | 87.00 р. |
|
|
|
RJP43F4A DPP | Renesas | IGBT 430V 40A for Plasma TV .. | 150.00 р. |
|
|
|
RJP4584DPP-90-T2 | Renesas | IGBT 450V 35A .. | 215.00 р. |
|
|
|
RJP63K2 | Renesas | IGBT Silicon N Channel 630V 35A VCE(sat) = 1.9 V 25W t=150C корпус TO-220FL .. | 155.00 р. |
|
|
RJP63K2 TO-263-3 | Renesas | IGBT Silicon N Channel 630V 35A VCE(sat) = 1.9 V 25W t=150C .. | 138.00 р. |
|
|
RJP63K2 TO-3P | Silicon N-Channel IGBT High Speed Power Switching; 630V; 35A; 60W; tf=0.2us .. | 395.00 р. |
|
|
|
|
SGH40N60UFD | Fairchild | Ultra-Fast IGBT, pulse160A, Vce(on)=2.1V, Pd=160w, V(br)ceo=600V, корпус-TO-3P(N)-3, tmax-150°C .. | 220.00 р. |
|
|
SGW30N60 | Fairchild | Транзистор полевой, характеристики 30A 600V .. | 377.00 р. |
|
|
|
STGB10NB37LZ | ST MICROELECTRONICS | Полевой транзистор он же MOSFET 400V, 10.0A, Uce sat<1,8V PowerMESH, .. | 225.00 р. |
|
|
|
STGF14NC60KD | ST MICROELECTRONICS | IGBT-модуль с N-каналом+Диод, Vds(Vce)=600V, Id(Ic)=14A .. | 93.00 р. |
|
|
STGW20NC60VD | ST MICROELECTRONICS | N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 HYPERFAST POWERMESH IGBT .. | 195.00 р. |
|