Яндекс.Метрика
Категории

Транзисторы IGBT

На странице:
Сортировка:
Название Производитель Описание Цена
HGTG30N60A4
HGTG30N60A4 Fairchild IGBT, DC=75A, Vce(on)=2.6V, Pd=463W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-247-3, tmax-150°C .. 300.00 р.
HGTG30N60A4(SKW30N60HS)
HGTG30N60A4(SKW30N60HS) Fairchild   N-канал 600В/60А/Uкэ(нас)=1,45В, trise/fall=24/90 нс   .. 339.00 р.
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D Fairchild Транзистор полевой, характеристики N-канал 600В/60А/Uкэ(нас)=1,45В, trise/fall=24/90 нс .. 500.00 р.
HGTG30N60B3D
HGTG30N60B3D Fairchild Транзистор полевой, характеристики  IGBT N-CH UFS 600V 30A TO-247  Напряжение проб.. 185.00 р.
HGTG40N60A4D
HGTG40N60A4D Fairchild 75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT .. 375.00 р.
HGTG60N100
HGTG60N100 Fairchild     IGBT, DC=60A, Vce(on)=2.9V, Pd=180W, V(br)ceo.. 533.00 р.
IGW50N60H3(G50H603)
IGW50N60H3(G50H603) INF IGBT, DC=50A, Vce(on)=2.3V, Pd=333W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-247-3, tmax-175°C .. 240.00 р.
IGW75N60T(G75T60)
IGW75N60T(G75T60) Infineon Technologies IGBT, DC=75A, Vce(on)=2V, Pd=428W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-247-3, tmax-175°C .. 240.00 р.
IHW20N135R5  (H20PR5)
IHW20N135R5 (H20PR5) Infineon Technologies IGBT Resonant,Switching,Series (monolithic,body,diode) Vce=1350V, Vce(sat)=1,65V Ic=40A, Ptot=288.. 175.00 р.
IHW30N160R2(H30R1602)
IHW30N160R2(H30R1602) Infineon Technologies IGBT, DC=30A, Vce(on)=2.1V, Pd=312W, V(br)ceo=1.6kV, корпус-TO-247-3, tmax-175°C .. 385.00 р.
IKW30N60T(K30T60)
IKW30N60T(K30T60) Infineon Technologies IGBT, DC=60A, Vce(on)=2.05V, Pd=187W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-247-3, tmax-175°C .. 180.00 р.
IKW50T60 (IKW50N60T)
IKW50T60 (IKW50N60T) Infineon Technologies IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode, Vc.. 435.00 р.
IRG40N60UFD
IRG40N60UFD Fairchild   Транзистор полевой, характеристики IGBT, 600V 20A   .. 293.00 р.
IRG4BC30FD-S
IRG4BC30FD-S International Rectifier   Транзистор полевой, характеристикиN-channel iso-gate bipolar transistor (MOS technolog.. 123.00 р.
IRG4BC30FPBF
IRG4BC30FPBF International Rectifier Транзистор полевой, характеристики IGBT, DC=31A, Vce(on)=1.9V, Pd=100W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-.. 93.00 р.