Ничего не куплено!
Название | Производитель | Описание | Цена | ||
HGTG30N60A4 | Fairchild | IGBT, DC=75A, Vce(on)=2.6V, Pd=463W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-247-3, tmax-150°C .. | 300.00 р. |
|
|
HGTG30N60A4(SKW30N60HS) | Fairchild | N-канал 600В/60А/Uкэ(нас)=1,45В, trise/fall=24/90 нс .. | 339.00 р. |
|
|
HGTG30N60A4D | Fairchild | Транзистор полевой, характеристики N-канал 600В/60А/Uкэ(нас)=1,45В, trise/fall=24/90 нс .. | 500.00 р. |
|
|
HGTG30N60B3D | Fairchild | Транзистор полевой, характеристики IGBT N-CH UFS 600V 30A TO-247 Напряжение проб.. | 185.00 р. |
|
|
HGTG40N60A4D | Fairchild | 75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT .. | 375.00 р. |
|
|
HGTG60N100 | Fairchild | IGBT, DC=60A, Vce(on)=2.9V, Pd=180W, V(br)ceo.. | 533.00 р. |
|
|
IGW50N60H3(G50H603) | INF | IGBT, DC=50A, Vce(on)=2.3V, Pd=333W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-247-3, tmax-175°C .. | 240.00 р. |
|
|
IGW75N60T(G75T60) | Infineon Technologies | IGBT, DC=75A, Vce(on)=2V, Pd=428W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-247-3, tmax-175°C .. | 240.00 р. |
|
|
IHW20N135R5 (H20PR5) | Infineon Technologies | IGBT Resonant,Switching,Series (monolithic,body,diode) Vce=1350V, Vce(sat)=1,65V Ic=40A, Ptot=288.. | 175.00 р. |
|
|
IHW30N160R2(H30R1602) | Infineon Technologies | IGBT, DC=30A, Vce(on)=2.1V, Pd=312W, V(br)ceo=1.6kV, корпус-TO-247-3, tmax-175°C .. | 385.00 р. |
|
|
IKW30N60T(K30T60) | Infineon Technologies | IGBT, DC=60A, Vce(on)=2.05V, Pd=187W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-247-3, tmax-175°C .. | 180.00 р. |
|
|
IKW50T60 (IKW50N60T) | Infineon Technologies | IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode, Vc.. | 435.00 р. |
|
|
IRG40N60UFD | Fairchild | Транзистор полевой, характеристики IGBT, 600V 20A .. | 293.00 р. |
|
|
IRG4BC30FD-S | International Rectifier | Транзистор полевой, характеристикиN-channel iso-gate bipolar transistor (MOS technolog.. | 123.00 р. |
|
|
IRG4BC30FPBF | International Rectifier | Транзистор полевой, характеристики IGBT, DC=31A, Vce(on)=1.9V, Pd=100W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-.. | 93.00 р. |
|