Яндекс.Метрика
Категории

Транзисторы IGBT

На странице:
Сортировка:
Название Производитель Описание Цена
G30N60RUFD
G30N60RUFD Fairchild IGBT 30A 600V .. 370.00 р.
G60N100BNTD
G60N100BNTD Fairchild IGBT, DC=60A, Vce(on)=, Pd=, V(br)ceo=1000V, корпус-0, tmax-150°C .. 451.00 р.
GT30F122
GT30F122 Toshiba 300V, 120A IGBT .. 175.00 р.
GT30F123
GT30F123 Toshiba IGBT for plasma display panel, Vces=300V, Vce(sat)=2,1V, Ic=200A, Pc=25W .. 117.00 р.
GT30F124
GT30F124 Toshiba IGBT, pulse200A, Vce(on)=, Pd=, V(br)ceo=300V, корпус- TO-220SIS-3, tmax-150°C .. 94.00 р.
GT30F125
GT30F125 Toshiba IGBT for plasma display panel,Vces=330V,Vce(sat)=1,9V, Ic=200A,Pc=25W .. 54.00 р.
GT30F126
GT30F126 Toshiba M IGBT 330V/200A Tc=18 .. 50.00 р.
GT30F131
GT30F131 Toshiba IGBT for plasma display panel,Vces=360V,Vce(sat)=1,9V, Ic=200A,Pc=140W .. 75.00 р.
GT30F131 TO-220F-3
GT30F131 TO-220F-3 Toshiba GT30F131 (360V 200A 140W N-CHANNEL IGBT) TO220F ТРАНЗИСТОР .. 130.00 р.
GT30F132 D2PAK
GT30F132 D2PAK Toshiba Транзистор IGBT; 360 В; 200 А; .. 214.00 р.
GT30G122
GT30G122 Fairchild GT30G122, TO-220F, Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 30 А .. 163.00 р.
GT30J124
GT30J124 Toshiba IGBT Kanał N; GT30J124; 30A; 600V; 25W; TO220;  Toshiba; RoHS .. 154.00 р.
GT30J322
GT30J322 Toshiba Транзистор полевой, характеристики Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin (3+T) .. 700.00 р.
GT35J321
GT35J321 Транзистор полевой, характеристики Fourth-generation IGBT Current Resonance Inverter Switching Ap.. 330.00 р.
GT40WR21
GT40WR21 Toshiba Silicon N-Channel IGBT, Vces=1800V, Ic=40A, Pc=375W (в инверторных печках) .. 450.00 р.