Ничего не куплено!
Название | Производитель | Описание | Цена | ||
G30N60RUFD | Fairchild | IGBT 30A 600V .. | 370.00 р. |
|
|
G60N100BNTD | Fairchild | IGBT, DC=60A, Vce(on)=, Pd=, V(br)ceo=1000V, корпус-0, tmax-150°C .. | 451.00 р. |
|
|
GT30F122 | Toshiba | 300V, 120A IGBT .. | 175.00 р. |
|
|
GT30F123 | Toshiba | IGBT for plasma display panel, Vces=300V, Vce(sat)=2,1V, Ic=200A, Pc=25W .. | 117.00 р. |
|
|
GT30F124 | Toshiba | IGBT, pulse200A, Vce(on)=, Pd=, V(br)ceo=300V, корпус- TO-220SIS-3, tmax-150°C .. | 94.00 р. |
|
|
GT30F125 | Toshiba | IGBT for plasma display panel,Vces=330V,Vce(sat)=1,9V, Ic=200A,Pc=25W .. | 54.00 р. |
|
|
GT30F126 | Toshiba | M IGBT 330V/200A Tc=18 .. | 50.00 р. |
|
|
GT30F131 | Toshiba | IGBT for plasma display panel,Vces=360V,Vce(sat)=1,9V, Ic=200A,Pc=140W .. | 75.00 р. |
|
|
GT30F131 TO-220F-3 | Toshiba | GT30F131 (360V 200A 140W N-CHANNEL IGBT) TO220F ТРАНЗИСТОР .. | 130.00 р. |
|
|
GT30F132 D2PAK | Toshiba | Транзистор IGBT; 360 В; 200 А; .. | 214.00 р. |
|
|
GT30G122 | Fairchild | GT30G122, TO-220F, Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 30 А .. | 163.00 р. |
|
|
GT30J124 | Toshiba | IGBT Kanał N; GT30J124; 30A; 600V; 25W; TO220; Toshiba; RoHS .. | 154.00 р. |
|
|
GT30J322 | Toshiba | Транзистор полевой, характеристики Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin (3+T) .. | 700.00 р. |
|
|
GT35J321 | Транзистор полевой, характеристики Fourth-generation IGBT Current Resonance Inverter Switching Ap.. | 330.00 р. |
|
||
GT40WR21 | Toshiba | Silicon N-Channel IGBT, Vces=1800V, Ic=40A, Pc=375W (в инверторных печках) .. | 450.00 р. |
|