Яндекс.Метрика
Категории

Транзисторы Полевые

На странице:
Сортировка:
Название Производитель Описание Цена
STF11N65M2
STF11N65M2 ST MICROELECTRONICS Транзисторы полевые MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube .. 70.00 р.
STF11NM80F
STF11NM80F ST MICROELECTRONICS Транзистор полевой, характеристики МОП-транзистор N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh .. 159.00 р.
STF13NM60N
STF13NM60N ST MICROELECTRONICS Транзистор полевой, характеристики MOSFET N-CH 600V .. 75.00 р.
STF20NM60D
STF20NM60D ST MICROELECTRONICS Metal oxide N-channel FET, enhancement type,FDmesh Power Amplifier, 600V 20A 45W .. 145.00 р.
STF21NM60N
STF21NM60N ST MICROELECTRONICS MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N; Iс(25°C): 17 А; Rси(вкл): 0.22 Ом; @Uзатв(ном).. 175.00 р.
STF3NK80Z
STF3NK80Z ST MICROELECTRONICS Транзистор полевой, характеристики N Channel, Id=2.5A, Vds=800V, Rds(on)=4.5ohm, Vgs=10V, Vgs Typ.. 46.00 р.
STF5N52U
STF5N52U ST MICROELECTRONICS MOSFET транзистор - [TO-220FP]; Тип: N; Uси: 525 В; Iс(25°C): 4.4 А; Rси(вкл): 1.5 Ом; .. 83.00 р.
STF6NK70ZF
STF6NK70ZF ST MICROELECTRONICS Транзистор полевой, характеристики МОП-транзистор N-Ch, 700V-1.5ohms Zener SuperMESH 5A .. 91.00 р.
STF9NK90ZFP
STF9NK90ZFP ST MICROELECTRONICS Транзистор полевой, характеристики N-CHANNEL 900V - 1.1W - 8A SuperMESH™Power MOSFET .. 50.00 р.
STF9NM60N
STF9NM60N ST MICROELECTRONICS Транзистор полевой, характеристики MOSFET транзистор - [TO-220FP]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): .. 83.00 р.
STGB10NB37LZ
STGB10NB37LZ ST MICROELECTRONICS Полевой транзистор он же MOSFET 400V, 10.0A, Uce sat<1,8V PowerMESH, .. 225.00 р.
STGF14NC60KD
STGF14NC60KD ST MICROELECTRONICS  IGBT-модуль с N-каналом+Диод, Vds(Vce)=600V, Id(Ic)=14A .. 93.00 р.
STH8N80FI
STH8N80FI ST MICROELECTRONICS Транзистор полевой, характеристики N-channel enhancement mode power mos transistors .. 130.00 р.
STK0765F (P0765ATF)
STK0765F (P0765ATF) AUK Транзистор полевой, характеристики  N-channel Power MOSFET, Vdss=650V, Id=7A, Pd=40W, Rd.. 97.00 р.
STM6922
STM6922 SamHop Microelectronics Corp. Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor,Vdss=40V, Id=7A, Pd=2W, Rds(on)=26 mOhm .. 130.00 р.